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      3. 新聞詳情

        三靶磁控濺射與分子束外延設備概述

        日期:2021-08-31 19:50
        瀏覽次數:87
        摘要:
            1、平臺用途:該平臺是一種超高多靶磁控濺射沉積—多功能電子束—分子束聯合蒸發鍍膜實驗平臺,用三靶磁控濺射的方法制備孤立分散的量子點和納米晶顆粒等薄膜、半導體薄膜及Fe和Cu等金屬薄膜,用超高真空電子束—分子束聯合蒸發鍍膜的方法制備Ti、Al和Cu等金屬電極膜及化合物、半導體薄膜,同時還可以用于基片和薄膜的等離子清洗退火。
            2、靶、基片及加熱材料
            三靶磁控濺射可以采用單靶獨立工作或三只靶輪流工作、任意兩靶組合共濺、三靶組合共濺等工作模式,向心濺射,射頻直流兼容,靶材可以是金屬或陶瓷等,磁性材料或非磁性材料。
            所有靶面均可以沿軸向電動位移,位移量±100mm,可變角度0~30?。所有靶上都帶有電動檔板,以防止靶面在未工作時被污染。
            靶芯采用新式磁場結構,靶面刻蝕均勻,靶材利用率高,基片上薄膜生長均勻,其整個基片上的薄膜厚度不均勻度≤3﹪。
            該設備有電動基片擋板,以防止靶未穩定工作時污染基片。
            3、基片及加熱材料
            三靶磁控濺射的基片有效鍍膜直經:4吋,整個基片上的薄膜厚度不均勻度≤5﹪,基片架采用框式結構,樣品交接容易,基片架不變形,鍍膜時基片轉動,旋轉速度2~30轉/分可調,鍍膜均勻。基片有擋板,防止污染。基片加熱器及溫控系統1套,基片加熱器電動升降機構行程±20mm,樣品加熱溫度:常溫~1700○C可調。基片電動升降機構行程±30mm,焊接金屬波紋管密封,真空室真空度可達2×10-7Pa
            三靶磁控濺射配有基片擋板,以防止束源未穩定工作時污染基片。樣品架在鍍膜時旋轉,基片上薄膜生長均勻,其整個基片上的薄膜厚度不均勻度≤3﹪。 
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