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      3. 產品詳情
        • 產品名稱:桌面型偏壓單靶磁控濺射鍍膜儀

        • 產品型號:CY-MSP180G-1T-B
        • 產品廠商:泰諾
        • 產品文檔:
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        簡單介紹:
        桌面型單靶磁控鍍膜儀,可用于一般金屬薄膜的制備。設備同時配有偏壓電源,可以用來進行進行濺射前的等離子清洗和濺射過程中施加偏壓
        詳情介紹:

        本設備為帶偏壓的桌面型單靶磁控鍍膜儀,可用于一般金屬薄膜的制備。設備同時配有偏壓電源,可以用來進行進行濺射前的等離子清洗和濺射過程中施加偏壓。

        本套配置采用石英真空腔體,鍍膜過程全向可視,便于實驗的觀察記錄,腔體設計開啟方便,易于清理,十分適合實驗室使用。同時設備配有旋轉加熱樣品 臺,可以有效提高薄膜的均勻性和成膜的質量。整機采用模塊化設計,操作邏輯簡單,操作界面直觀,利于上手。

        桌面型單靶磁控鍍膜儀技術參數:

        產品名稱

        桌面型偏壓單靶磁控濺射鍍膜儀

        產品型號

        CY-MSP180G-1T-B Bias偏壓)

        安裝條件

        1、使用環境溫度 25℃±15℃,濕度 55%Rh±10%Rh;

        2、設備供電:AC220V,50Hz,必須有良好接地;

        3、額定功率:1500w;

        4、設備用氣:設備腔室內需充注氬氣清洗,需客戶自備氬氣,純度 ≥99.99%;

        5、擺放工作臺尺寸要求 600mm×600mm×850mm,承重 50kg 以上;

        6、擺放位置要求通風散熱良好。

        技術參數

        1、 濺射電源:直流電源300W;*大輸出電壓600V,極限輸出電流500mA

        2、 偏壓電源:輸出電壓<1000V,類型:高頻脈沖直流電源

        3、 磁控靶:2英寸平衡靶,配磁耦合擋板;

        4、 磁控靶適用靶材: φ50mm x 3mm厚

        5、 腔體尺寸:外徑φ194mm ,內徑186mm x 高230mm;

        6、 腔體材質: 304不銹鋼

        7、 旋轉加熱樣品臺:轉速1~20rpm  連續可調;加熱溫度*高500℃,升溫速度推薦10/min,*高20/min

        8、 冷卻方式:磁控靶及分子泵需要循環水冷機;

        9、 水冷機:水箱容積9L,流速10L/min

        10、 供氣系統:質量流量計, 氣體類型Ar氣,流量1~30sccm(可定制);

        11、 流量計精度:±1.5%量程

        12、 真空腔體抽氣接口為 KF40;

        13、 進氣接口為 1/4 英寸雙卡套接頭;

        14、 顯示屏為7英寸彩色觸摸屏;

        15、 可調節濺射電流,可設置濺射安全電流值、安全真空值;

        16、 安全保護:過流、真空過低自動切斷濺射電流;

        17、 極限真空:5E-4Pa(搭配分子泵);

        18、 真空測量為電阻規真空計,其量程為:1~105Pa

        注意事項

        1、磁控濺射工作真空較高,一般在2Pa之內,需要配分子泵使用。

        2、為了達到較高的無氧環境,至少要用高純惰性氣體對真空腔體清洗 3 次。

        3、磁控濺射對進氣量比較敏感,需要使用質量流量計控制進氣量

        可選配件

        膜厚監測儀

        1、膜厚分辨率:0.0136?(鋁)

        2、膜厚準確度:±0.5%,取決于過程條件,特別是傳感器的位置, 材料應力,溫度和密度

        3、測量速度:100ms-1s/次,可設置測量范圍:500000?(鋁)

        4、標準傳感器晶體:6MHz

        5、適用晶片頻率:6MHz 適用晶片尺寸:Φ14mm 安裝法蘭:CF35

        其他配件

        1、CY-CZK103系列高性能分子泵組(含復合真空計,測量范圍10-5Pa~105Pa);

        CY-GZK60系列小型分子泵組(含復合真空計,測量范圍10-5Pa~102Pa

        VRD-4雙極旋片真空泵

        2、KF40真空波紋管;長度可選0.5m、1m、1.5m;KF40卡箍支架

        3、膜厚儀晶振片;



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